| ： | CGD65B200S2-T13 |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Cambridge GaN Devices |
| ： | 650V GAN HEMT, |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 4455 |
| ： | 1 |
1
$4.5500
$4.5500
10
$3.8200
$38.2000
100
$3.0900
$309.0000
500
$2.7500
$1,375.0000
1000
$2.3500
$2,350.0000
2000
$2.2100
$4,420.0000
5000
$2.1300
$10,650.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Cambridge GaN Devices |
| 系列 | ICeGaN™ |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerVDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 280mOhm @ 600mA, 12V |
| 场效应管特性 | Current Sensing |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4.2V @ 2.75mA |
| 供应商设备包 | 8-DFN (5x6) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 9V, 20V |
| Vgs（最大） | +20V, -1V |
| 漏源电压 (Vdss) | 650 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 1.4 nC @ 12 V |
