| ： | G01N20LE |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Goford Semiconductor |
| ： | N200V,RD(MAX)<8 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 926 |
| ： | 1 |
1
$0.4100
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10
$0.3200
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$2,700.0000
75000
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$6,750.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 700mOhm @ 1A, 10V |
| 功耗（最大） | 1.5W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | SOT-23-3 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 200 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 12 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 580 pF @ 25 V |
