| ： | GPI65060DFC |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | GaNPower |
| ： | GaNFET N-CH 6 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 200 |
| ： | 1 |
1
$33.0000
$33.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | GaNPower |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-DFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 60A |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 30mOhm @ 6A, 12V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 1.2V @ 3.5mA |
| 供应商设备包 | 8-DFN (8x8) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 6V |
| Vgs（最大） | +7.5V, -12V |
| 漏源电压 (Vdss) | 650 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 16 nC @ 6 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 420 pF @ 400 V |
