| ： | RN4990(TE85L,F) |
|---|---|
| ： | 双极晶体管阵列，预偏置 |
| ： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ： | NPN + PNP BRT Q |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 190 |
| ： | |
1
$0.3300
$0.3300
10
$0.2300
$2.3000
100
$0.1200
$12.0000
500
$0.0900
$45.0000
1000
$0.0700
$70.0000
3000
$0.0600
$180.0000
6000
$0.0600
$360.0000
9000
$0.0500
$450.0000
30000
$0.0500
$1,500.0000
75000
$0.0400
$3,000.0000
150000
$0.0400
$6,000.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 集电极电流 (Ic)（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| Vce 饱和度（最大值）@Ib、Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA (ICBO) |
| 直流电流增益 (hFE)（最小值）@ Ic、Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| 频率-转变 | 250MHz, 200MHz |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7kOhms |
| 供应商设备包 | US6 |
