| ： | TP65H150G4LSG |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Transphorm |
| ： | GAN FET N-CH 65 |
| ： | - |
| ： | 托盘 |
| ： | 2934 |
| ： | |
1
$5.0600
$5.0600
10
$4.5400
$45.4000
100
$3.7200
$372.0000
500
$3.1700
$1,585.0000
1000
$2.6700
$2,670.0000
3000
$2.3500
$7,050.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Transphorm |
| 系列 | - |
| 包裹 | 托盘 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 3-PowerTDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 180mOhm @ 8.5A, 10V |
| 功耗（最大） | 52W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4.8V @ 500µA |
| 供应商设备包 | 3-PQFN (8x8) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 650 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 8 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 598 pF @ 400 V |
