| ： | WNSC2D12650TJ |
|---|---|
| ： | 单二极管 |
| ： | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
| ： | DIODE SIL CARBI |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 3085 |
| ： | |
1
$3.4000
$3.4000
10
$2.8500
$28.5000
100
$2.3100
$231.0000
500
$2.0500
$1,025.0000
1000
$1.7600
$1,760.0000
3000
$1.6500
$4,950.0000
6000
$1.5900
$9,540.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 4-VSFN Exposed Pad |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 反向恢复时间 (trr) | 0 ns |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| 电容@Vr, F | 380pF @ 1V, 1MHz |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 12A |
| 供应商设备包 | 5-DFN (8x8) |
| 工作温度 - 结 | 175°C |
| 电压 - 直流反向 (Vr)（最大） | 650 V |
| 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If | 1.7 V @ 12 A |
| 电流 - 反向漏电流@Vr | 60 µA @ 650 V |
