| ： | XP10NA011J |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | YAGEO XSEMI |
| ： | MOSFET N-CH 100 |
| ： | - |
| ： | 管子 |
| ： | 1100 |
| ： | 1 |
1
$3.0700
$3.0700
80
$2.0900
$167.2000
560
$1.8600
$1,041.6000
1040
$1.5900
$1,653.6000
2000
$1.5000
$3,000.0000
5040
$1.4400
$7,257.6000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | YAGEO XSEMI |
| 系列 | XS10NA011 |
| 包裹 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 48.5A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 11mOhm @ 30A, 10V |
| 功耗（最大） | 1.13W (Ta), 50W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备包 | TO-251S |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 6V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 100 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 56 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 2288 pF @ 80 V |
