| ： | XP65AN1K2IT |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | YAGEO XSEMI |
| ： | MOSFET N-CH 650 |
| ： | - |
| ： | 管子 |
| ： | 1100 |
| ： | 1 |
1
$2.8500
$2.8500
50
$2.2600
$113.0000
100
$1.9400
$194.0000
500
$1.7200
$860.0000
1000
$1.4800
$1,480.0000
2000
$1.3900
$2,780.0000
5000
$1.3300
$6,650.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | YAGEO XSEMI |
| 系列 | XP65AN1K2 |
| 包裹 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-220-3 Full Pack |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 1.2Ohm @ 3.5A, 10V |
| 功耗（最大） | 1.92W (Ta), 34.7W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备包 | TO-220CFM |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 漏源电压 (Vdss) | 650 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 44.8 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 2048 pF @ 100 V |
