
| : | XP65SL380DH |
|---|---|
| : | 单 FET、MOSFET |
| : | YAGEO XSEMI |
| : | MOSFET N-CH 650 |
| : | - |
| : | 卷带式 (TR) |
| : | 1097 |
| : | 1 |
1
$4.4900
$4.4900
10
$3.7700
$37.7000
100
$3.0500
$305.0000
500
$2.7100
$1,355.0000
1000
$2.3200
$2,320.0000
3000
$2.1900
$6,570.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | YAGEO XSEMI |
| 系列 | XP65SL380D |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Rds On(最大)@Id、Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 10V |
| 功耗(最大) | 2W (Ta), 78.1W (Tc) |
| Vgs(th)(最大值)@Id | 5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | TO-252 |
| 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 10V |
| Vgs(最大) | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 650 V |
| 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 52.8 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 1860 pF @ 100 V |