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型号 : CGD65A130S2-T13 品牌 : Cambridge GaN Devices 包装 : 卷带式 (TR)	650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8. 单 FET、MOSFET		$3.3200	现货最快4H发库存 3452
型号 : CGD65B130S2-T13 品牌 : Cambridge GaN Devices 包装 : 卷带式 (TR)	650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6. 单 FET、MOSFET 规格书		$6.4200	现货最快4H发库存 4985
型号 : CGD65B200S2-T13 品牌 : Cambridge GaN Devices 包装 : 卷带式 (TR)	650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6. 单 FET、MOSFET 规格书		$4.5500	现货最快4H发库存 4455

有人搜索了这部分IC芯片，还有人搜索了一些相关的芯片,部分内容如下：

HSC18DRTI-S734 SBL-1-1+ 1-2176632-0 FPA600 R62 J PART RESISTOR PACK LIFMD-VIP-IB-EVN IF-10-10 PRTD10-0-0-15-1KB 78Q8392LA03-CHR/F 060-9758-02-02

>CGD65A130S2-T13

CGD65A130S2-T13

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卷带式 (TR)

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650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.

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650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.

>CGD65B200S2-T13

CGD65B200S2-T13

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卷带式 (TR)

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NO

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650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.

有人搜索了这部分IC芯片，还有人搜索了一些相关的芯片,部分内容如下：

HSC18DRTI-S734 SBL-1-1+ 1-2176632-0 FPA600 R62 J PART RESISTOR PACK LIFMD-VIP-IB-EVN IF-10-10 PRTD10-0-0-15-1KB 78Q8392LA03-CHR/F 060-9758-02-02

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