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ALD110900SAL

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ALD110900SAL
FET、MOSFET 阵列
Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 2N-CH 10
-
管子
409
1
: 409

1

$4.9800

$4.9800

50

$3.9500

$197.5000

100

$3.3800

$338.0000

500

$3.0100

$1,505.0000

1000

$2.5700

$2,570.0000

2000

$2.4200

$4,840.0000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Advanced Linear Devices, Inc.
系列EPAD®, Zero Threshold™
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
配置2 N-Channel (Dual) Matched Pair
工作温度0°C ~ 70°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大500mW
漏源电压 (Vdss)10.6V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2.5pF @ 5V
Rds On(最大)@Id、Vgs500Ohm @ 4V
Vgs(th)(最大值)@Id20mV @ 1µA
供应商设备包8-SOIC
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