| ： | BY25Q128ASWIG(R) |
|---|---|
| ： | 记忆 |
| ： | BYTe Semiconductor |
| ： | 128 MBIT, 3.0V |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 100 |
| ： | 1 |
3000
$0.8300
$2,490.0000
6000
$0.8000
$4,800.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | BYTe Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-WDFN Exposed Pad |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 内存大小 | 128Mbit |
| 内存类型 | Non-Volatile |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 电压 - 电源 | 2.7V ~ 3.6V |
| 技术 | FLASH - NOR (SLC) |
| 时钟频率 | 108 MHz |
| 内存格式 | FLASH |
| 供应商设备包 | 8-WSON (5x6) |
| 写入周期时间 - 字、页 | 50µs, 2.4ms |
| 内存接口 | SPI - Quad I/O |
| 存取时间 | 7 ns |
| 记忆组织 | 16M x 8 |
