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BY25Q32ESWIG(R)

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BY25Q32ESWIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
32 MBIT, 3.0V (
-
卷带式 (TR)
100
1
: 100

1

$0.8100

$0.8100

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$7.2000

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$127.5000

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$215.0000

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$930.0000

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$1,740.0000

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$4,200.0000

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$8,100.0000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-WDFN Exposed Pad
安装类型Surface Mount
内存大小32Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率120 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-WSON (5x6)
写入周期时间 - 字、页50µs, 2.4ms
内存接口SPI - Quad I/O
存取时间11.5 ns
记忆组织4M x 8
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