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BY25Q40BSTIG(R)

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BY25Q40BSTIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
4 MBIT, 3.0V (2
-
卷带式 (TR)
4100
1
: 4100

1

$0.4900

$0.4900

10

$0.4000

$4.0000

25

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$9.0000

100

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$27.0000

250

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$62.5000

500

$0.2000

$100.0000

1000

$0.1500

$150.0000

4000

$0.1400

$560.0000

8000

$0.1300

$1,040.0000

12000

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$1,440.0000

28000

$0.1100

$3,080.0000

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产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型Surface Mount
内存大小4Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率108 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-SOP
写入周期时间 - 字、页50µs, 2.4ms
内存接口SPI - Quad I/O, QPI
存取时间7 ns
记忆组织512K x 8
关闭
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