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E3M0075120J2-TR

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E3M0075120J2-TR
单 FET、MOSFET
Wolfspeed
75m, 1200V SiC
-
卷带式 (TR)
750
1
: 750

1

$16.5400

$16.5400

10

$14.5700

$145.7000

100

$12.6000

$1,260.0000

800

$11.4200

$9,136.0000

获取报价信息
E3M0075120J2
Wolfspeed(CREE)
Discrete Silicon Carbide Schottky Diodes
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Wolfspeed
系列E
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C34A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs97.5mOhm @ 17.9A, 15V
功耗(最大)172W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id3.8V @ 5mA
供应商设备包TO-263-7
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)15V
Vgs(最大)+19V, -8V
漏源电压 (Vdss)1200 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs52 nC @ 15 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1480 pF @ 1000 V
资质AEC-Q101
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