| ： | EPC7018DC |
|---|---|
| ： | FET、MOSFET 阵列 |
| ： | EPC Space |
| ： | GAN FET HEMT 10 |
| ： | - |
| ： | 散装 |
| ： | 200 |
| ： | |
1
$322.2900
$322.2900
10
$301.8700
$3,018.7000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | EPC Space |
| 系列 | eGaN® |
| 包裹 | 散装 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 4-SMD, No Lead |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 漏源电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1700pF @ 50V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 6.5mOhm @ 70A, 5V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 17nC @ 5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 5mA |
| 供应商设备包 | 4-SMD |
