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EPC7018GC

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型号 EPC7018GC
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 EPC Space
类型 GAN FET HEMT 10
封装 -
包装 散装
数量 108
RoHS 状态
库存: 108
总数

数量

价格

总价

1

$316.8000

$316.8000

10

$296.7200

$2,967.2000

获取报价信息
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商EPC Space
系列eGaN®
包裹散装
产品状态ACTIVE
包装/箱5-SMD, No Lead
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C80A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs6mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 12mA
供应商设备包5-SMD
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)5V
Vgs(最大)+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)100 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs11.7 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1240 pF @ 50 V
关闭
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