| ： | G090P02S |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Goford Semiconductor |
| ： | MOSFET P-CH 20 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 4100 |
| ： | 1 |
1
$0.5700
$0.5700
10
$0.4900
$4.9000
100
$0.3400
$34.0000
500
$0.2600
$130.0000
1000
$0.2100
$210.0000
2000
$0.1900
$380.0000
4000
$0.1900
$760.0000
8000
$0.1800
$1,440.0000
12000
$0.1700
$2,040.0000
28000
$0.1700
$4,760.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 119mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 1.1V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 8-SOP |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 2.5V, 4.5V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 47 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 2225 pF @ 10 V |
