| ： | G3K8N15HE |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Goford Semiconductor |
| ： | MOSFET N-CH ESD |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 5100 |
| ： | 1 |
2500
$0.1100
$275.0000
15000
$0.1000
$1,500.0000
30000
$0.0900
$2,700.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-261-4, TO-261AA |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 370mOhm @ 2A, 10V |
| 功耗（最大） | 2.16W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | SOT-223 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 150 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 20 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 558 pF @ 75 V |
