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GP2D010A120C

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GP2D010A120C
单二极管
SemiQ
DIODE SIL CARB
-
管子
100
1
GP2D010A120U
SemiQ
碳化硅肖特基二极管裸芯片
GP2D010A120A
SemiQ
碳化硅肖特基二极管裸芯片
GP2D010A120X
SemiQ
碳化硅肖特基二极管裸芯片
GP2D010A120B
SemiQ
碳化硅肖特基二极管裸芯片
GP2D010A120C
SemiQ
碳化硅肖特基二极管裸芯片
产品参数
PDF(1)
PDF(2)
类型描述
制造商SemiQ
系列Amp+™
包裹管子
产品状态DISCONTINUED
包装/箱TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型Surface Mount
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间 (trr)0 ns
技术SiC (Silicon Carbide) Schottky
电容@Vr, F635pF @ 1V, 1MHz
电流 - 平均整流 (Io)10A
供应商设备包TO-252 (DPAK)
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C
电压 - 直流反向 (Vr)(最大)1200 V
电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If1.8 V @ 10 A
电流 - 反向漏电流@Vr20 µA @ 1200 V
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