| ： | GT400P10M |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Goford Semiconductor |
| ： | MOSFET P-CH 100 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 883 |
| ： | 1 |
1
$1.7000
$1.7000
10
$1.4100
$14.1000
100
$1.1200
$112.0000
800
$0.9500
$760.0000
1600
$0.8100
$1,296.0000
2400
$0.7700
$1,848.0000
5600
$0.7400
$4,144.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | P-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 35mOhm @ 10A, 10V |
| 功耗（最大） | 106W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备包 | TO-263 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 100 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 41 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 3073 pF @ 50 V |
