+86-13723477211

SCT018W65G3-4AG

  •  SCT018W65G3-4AG
  • image of 单 FET、MOSFET SCT018W65G3-4AG
SCT018W65G3-4AG
单 FET、MOSFET
STMicroelectronics
TO247-4
-
管子
100
1
: 100

600

$14.8700

$8,922.0000

获取报价信息
SCT018W65G3-4AG
意法-ST
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
产品参数
类型描述
制造商STMicroelectronics
系列-
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-4
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 200°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C55A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs27mOhm @ 30A, 18V
功耗(最大)398W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.2V @ 5mA
供应商设备包TO-247-4
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)15V, 18V
Vgs(最大)+22V, -10V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs77 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2077 pF @ 400 V
资质AEC-Q101
关闭
询价
captcha

+86-13723477211

点击这里给我发消息
0