| ： | SSM6K818R,LF |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ： | N-CH MOSFET 30V |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 5710 |
| ： | 1 |
1
$0.6700
$0.6700
10
$0.5800
$5.8000
100
$0.4000
$40.0000
500
$0.3400
$170.0000
1000
$0.2900
$290.0000
3000
$0.2500
$750.0000
6000
$0.2400
$1,440.0000
9000
$0.2300
$2,070.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 6-SMD, Flat Leads |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | 150°C |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 12mOhm @ 4A, 4.5V |
| 功耗（最大） | 1.5W (Ta) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.1V @ 100µA |
| 供应商设备包 | 6-TSOP-F |
| 年级 | Automotive |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 30 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1130 pF @ 15 V |
| 资质 | AEC-Q101 |
