| ： | SSM6P816R,LF |
|---|---|
| ： | FET、MOSFET 阵列 |
| ： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ： | MOSFET 2P-CH 20 |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 4249 |
| ： | 1 |
1
$0.4800
$0.4800
10
$0.4100
$4.1000
100
$0.2900
$29.0000
500
$0.2200
$110.0000
1000
$0.1800
$180.0000
3000
$0.1600
$480.0000
6000
$0.1500
$900.0000
9000
$0.1400
$1,260.0000
30000
$0.1400
$4,200.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 6-SMD, Flat Leads |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 P-Channel (Dual) |
| 工作温度 | 150°C |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 1.4W (Ta) |
| 漏源电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1030pF @ 10V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 30.1mOhm @ 4A, 4.5V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 16.6nC @ 4.5V |
| 场效应管特性 | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 1V @ 1mA |
| 供应商设备包 | 6-TSOP-F |
