| ： | TC58BYG2S0HBAI6 |
|---|---|
| ： | 记忆 |
| ： | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| ： | IC FLASH 4GBIT |
| ： | - |
| ： | 托盘 |
| ： | 397 |
| ： | 1 |
1
$5.1300
$5.1300
10
$4.6600
$46.6000
25
$4.5600
$114.0000
40
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$181.2000
80
$4.0600
$324.8000
338
$4.0500
$1,368.9000
676
$3.9000
$2,636.4000
1014
$3.7100
$3,761.9400
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| 系列 | Benand™ |
| 包装 | 托盘 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 67-VFBGA |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 内存大小 | 4Gbit |
| 内存类型 | Non-Volatile |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 电压 - 电源 | 1.7V ~ 1.95V |
| 技术 | FLASH - NAND (SLC) |
| 内存格式 | FLASH |
| 供应商设备包 | 67-VFBGA (6.5x8) |
| 写入周期时间 - 字、页 | 25ns |
| 内存接口 | Parallel |
| 存取时间 | 25 ns |
| 记忆组织 | 512M x 8 |
| DigiKey 可编程 | Not Verified |
