| ： | TRS12V65H,LQ |
|---|---|
| ： | 单二极管 |
| ： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ： | G3 SIC-SBD 650V |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 5062 |
| ： | 1 |
1
$3.2800
$3.2800
10
$2.7500
$27.5000
100
$2.2300
$223.0000
500
$1.9800
$990.0000
1000
$1.7000
$1,700.0000
2500
$1.6000
$4,000.0000
5000
$1.5300
$7,650.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 4-VSFN Exposed Pad |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 反向恢复时间 (trr) | 0 ns |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| 电容@Vr, F | 778pF @ 1V, 1MHz |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 12A |
| 供应商设备包 | 4-DFN-EP (8x8) |
| 工作温度 - 结 | 175°C |
| 电压 - 直流反向 (Vr)（最大） | 650 V |
| 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If | 1.35 V @ 12 A |
| 电流 - 反向漏电流@Vr | 120 µA @ 650 V |
