| ： | TW015Z120C,S1F |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ： | G3 1200V SIC-MO |
| ： | - |
| ： | 管子 |
| ： | 198 |
| ： | 1 |
1
$61.3300
$61.3300
30
$53.8900
$1,616.7000
120
$50.1800
$6,021.6000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | - |
| 包装 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-247-4 |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | 175°C |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 21mOhm @ 50A, 18V |
| 功耗（最大） | 431W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 5V @ 11.7mA |
| 供应商设备包 | TO-247-4L(X) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 18V |
| Vgs（最大） | +25V, -10V |
| 漏源电压 (Vdss) | 1200 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 158 nC @ 18 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 6000 pF @ 800 V |
