| ： | XP4NA1R4CMT-A |
|---|---|
| ： | 单 FET、MOSFET |
| ： | YAGEO XSEMI |
| ： | MOSFET N-CH 45V |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 1100 |
| ： | 1 |
1
$4.3100
$4.3100
10
$3.6200
$36.2000
100
$2.9300
$293.0000
500
$2.6000
$1,300.0000
1000
$2.2300
$2,230.0000
3000
$2.1000
$6,300.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | YAGEO XSEMI |
| 系列 | XP4NA1R4C |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerLDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 49A (Ta), 223A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 1.4mOhm @ 20A, 10V |
| 功耗（最大） | 5W (Ta), 104W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备包 | PMPAK® 5 x 6 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 45 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 75.2 nC @ 4.5 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 7200 pF @ 20 V |
